366 labākie Sukulenti Noto | 2026 ceļvedis - 6. lapa
366 labākie sukulenti audzēšanai Noto. Ideālais klimats: 19.2°C, 69.3% mitrums.
366 Sukulenti Noto
Rāda 181–216 no 366
Gollum krasula
Crassula ovata 'Gollum'
Pasaku Crassula
Crassula multicava
Kalifornijas saulriets
Graptosedum 'California Sunset'
Kanāriju eonija
Aeonium canariense
Čīles spirālkaktuss
Eulychnia castanea
Zirnekļkaktuss
Lobivia arachnacantha
Uguns kaktuss
Cleistocactus baumannii
Astes kaktuss
Mammillaria pottsii
Kalanhoja
Kalanchoe rotundifolia
Rebūcija
Rebutia
Baltmatainā opuncija
Opuntia leucotricha
Opuncija
Opuntia
Graptosedum 'Ghosty'
Graptosedum 'Ghosty'
Pērtiķastes kaktuss
Hildewintera colademononis
Andu Vecais Vīrs
Austrocylindropuntia vestita
Meksikāņu Dārgakmens
Echeveria elegans
Peru ābolu kaktuss
Cereus repandus
Lieldienu liļļu kaktuss
Echinopsis oxygona
Zeltainais Sedums
Sedum adolphii
Zilais akmensrauzis
Petrosedum rupestre
Miljonu māte
Kalanchoe delagoensis
Grīna Mūžzaļā
Dudleya greenei
Ragainlapu Kalanhoe
Kalanchoe ceratophylla
Miljonu māte hibrīds
Kalanchoe × houghtonii
Palmera sedums
Sedum palmeri
Karnevāla Ečeverija
Echeveria gibbiflora
Tuna dzeloņbumbieris
Opuntia tuna
Argentīnas Baltā Lāpa Kaktuss
Soehrensia candicans
Augstais laimiņš
Sedum praealtum
Bakeberga mamilārija
Mammillaria backebergiana
Sanpedro kaktuss
Trichocereus pachanoi
Čīles rozā kaktuss
Eriosyce subgibbosa
Matukana kaktuss
Matucana madisoniorum
Gimnokalicijs
Gymnocalycium
Pūkainā evehērija
Echeveria pulvinata
Daudzlapu monante
Monanthes polyphylla
Ideālie Sukulenti Noto klimatam
Noto vidējā temperatūra ir 19.2°C un mitrums 69.3%, apstākļi, kas tieši ietekmē, kuri sukulenti vislabāk pielāgojas vietējai videi.
Kā audzēt Sukulenti Noto
Lai veiksmīgi audzētu sukulenti Noto, ņemiet vērā, ka vidējā temperatūra 19.2°C un mitrums 69.3% veido specifisku mikroklimatu. Mērens mitrums ir labvēlīgs vairumam šīs kategorijas sugu.
Pielāgoto Sukulenti izvēles priekšrocības
Noto klimatam pielāgotie Sukulenti uzrāda lielāku izturību, veselīgu augšanu un mazāku nepieciešamību pēc iejaukšanās.