348 labākie Sukulenti Hobbs | 2026 ceļvedis - 2. lapa
348 labākie sukulenti audzēšanai Hobbs. Ideālais klimats: 18.2°C, 42.2% mitrums.
348 Sukulenti Hobbs
Rāda 37–72 no 348
Agaves kaktuss
Leuchtenbergia principis
Čīles kaktuss
Leucostele chiloensis
Ķīnas laimiņš
Sedum tetractinum
Sūnu kalanhoje
Kalanchoe eriophylla
Milota kalanhoja
Kalanchoe millotii
Melnais aeonijs
Aeonium 'Zwartkop'
Opuncija ar lielām saknēm
Opuntia macrorhiza
Dāliju ežkaktuss
Echinocereus poselgeri
Kalifornijas saulriets
Graptosedum 'California Sunset'
Vācu imperatore
Disocactus phyllanthoides
Čīles spirālkaktuss
Eulychnia castanea
Echeveria imbricata
Echeveria imbricata
Zirnekļkaktuss
Lobivia arachnacantha
Haageocereus
Haageocereus pseudomelanostele
Crassula erosula
Crassula erosula
Peruāņu lāpa
Echinopsis peruviana
Garlapu kalanhoja
Kalanchoe longiflora
Peru kaktuss
Trichocereus peruvianus
Evehērija 'Perle von Nürnberg'
Echeveria 'Perle von Nurnberg'
Spānijas akmensroze
Sedum hispanicum
Karvinska mammilārija
Mammillaria karwinskiana
Zeltainais bergerokaktuss
Bergerocactus emoryi
Kalanhoja
Kalanchoe rotundifolia
Čolla
Cylindropuntia
Līklapu laimiņš
Sedum rupestre
Violetais opuncija
Opuntia gosseliniana
Rebūcija
Rebutia
Papīra dzeloņu kaktuss
Tephrocactus articulatus var. papyracanthus
Zīdainā mamilārija
Mammillaria bombycina
Paradoksālā ripsāle
Rhipsalis paradoxa
Bruņurupuču kaktuss
Deamia testudo
Zilā evehērija
Echeveria secunda
Eonija
Aeonium
Mendozas laimiņš
Sedum mendozae
Miltainā dudleja
Dudleya pulverulenta
Opuncija
Opuntia
Ideālie Sukulenti Hobbs klimatam
Hobbs vidējā temperatūra ir 18.2°C un mitrums 42.2%, apstākļi, kas tieši ietekmē, kuri sukulenti vislabāk pielāgojas vietējai videi.
Kā audzēt Sukulenti Hobbs
Lai veiksmīgi audzētu sukulenti Hobbs, ņemiet vērā, ka vidējā temperatūra 18.2°C un mitrums 42.2% veido specifisku mikroklimatu. Zemāks mitrums prasa biežāku laistīšanu un šķīvjus zem podiņiem.
Pielāgoto Sukulenti izvēles priekšrocības
Hobbs klimatam pielāgotie Sukulenti uzrāda lielāku izturību, veselīgu augšanu un mazāku nepieciešamību pēc iejaukšanās.