341 labākie Sukulenti Câmpani | 2026 ceļvedis - 5. lapa
341 labākie sukulenti audzēšanai Câmpani. Ideālais klimats: 11.7°C, 76.5% mitrums.
341 Sukulenti Câmpani
Rāda 145–180 no 341
Kaukāza mājasvīķis
Sempervivum caucasicum
Graptoveria Ellena
Graptoveria 'Ellen'
Vara sedums
Sedum nussbaumerianum
Agaves kaktuss
Leuchtenbergia principis
Kodīgais laimiņš
Sedum acre
Daudzlapu monante
Monanthes polyphylla
Kalifornijas saulriets
Graptosedum 'California Sunset'
Čīles spirālkaktuss
Eulychnia castanea
Sešrindu laimiņš
Sedum sexangulare
Kokveida krasula
Crassula arborescens
Pūkainā kalanhoja
Kalanchoe tomentosa
Miltainā dudleja
Dudleya pulverulenta
Dudleja
Dudleya
Ēzeļa aste
Sedum morganianum
Melnā eševērija
Echeveria affinis
Oktobra Dafne
Sedum sieboldii
Lūpukrāsas Ečeverija
Echeveria agavoides
Pflanza zoda kaktuss
Gymnocalycium pflanzii
Milota kalanhoja
Kalanchoe millotii
Zirnekļkaktuss
Lobivia arachnacantha
Kalanhoja
Kalanchoe rotundifolia
Eonija
Aeonium
Mendozas laimiņš
Sedum mendozae
Koku sedums
Sedum dendroideum
Lavandas Ķemmes
Kalanchoe fedtschenkoi
Cūkas Auss
Cotyledon orbiculata
Tārpu augs
Crassula marnieriana
Tuna dzeloņbumbieris
Opuntia tuna
Kūpera adromišs
Adromischus cooperi
Pūkainā ripsāle
Rhipsalis pilocarpa
Sarkanā pitaija
Hylocereus costaricensis
Zelta bumbas kaktuss
Parodia leninghausii
Sūnu kalanhoje
Kalanchoe eriophylla
Melnais aeonijs
Aeonium 'Zwartkop'
Koraļļu kaktuss
Rhipsalis elliptica
Kanāriju eonija
Aeonium canariense
Ideālie Sukulenti Câmpani klimatam
Câmpani vidējā temperatūra ir 11.7°C un mitrums 76.5%, apstākļi, kas tieši ietekmē, kuri sukulenti vislabāk pielāgojas vietējai videi.
Kā audzēt Sukulenti Câmpani
Lai veiksmīgi audzētu sukulenti Câmpani, ņemiet vērā, ka vidējā temperatūra 11.7°C un mitrums 76.5% veido specifisku mikroklimatu. Augsts mitrums labvēlīgi ietekmē tropiskās sugas, bet prasa uzmanību ventilācijai, lai novērstu sēnīšu slimības.
Pielāgoto Sukulenti izvēles priekšrocības
Câmpani klimatam pielāgotie Sukulenti uzrāda lielāku izturību, veselīgu augšanu un mazāku nepieciešamību pēc iejaukšanās.